标题：[求助]高频下跌!

1楼

夏天不热 发表于：2009-8-29 13:20:44

有款背极式产品,从4000hz处开始下跌,到10K出已经下跌10~13个dB！

拆开发现膜片上有小孔(像外壳放下凹下),但是没有穿孔,这种是吸膜的表现吗?

之前有看过帖子,吸膜的话应该是低频处下跌呀？

那位高人能给我解答下?

2楼

庄子曰 发表于：2009-8-29 14:09:22

吸膜的麦克风，采用BK 50CM测试，就是表现为“高频下跌”；
你可以测试看看。

3楼

夏天不热 发表于：2009-8-29 14:30:15

那您指的是消声室测试？

但是我总觉得,吸膜应该是低频下跌吧？

4楼

庄子曰 发表于：2009-9-1 11:26:44

使用SoundCheck测试，也是高频曲线下跌。
低频有影响，但不大。

5楼

hero 发表于：2009-9-2 12:22:06

使用自由场测试表现为高频曲线下跌，低频一般是漏气的状态才会出现的。

6楼

夏天不热 发表于：2009-9-2 19:49:27

针对吸膜问题各位老师有没有什么改善方法？

我觉得降低极板充电值不是唯一可行的吧？这样的话感度又做不上去!!

7楼

Amare 发表于：2009-9-4 19:58:33

以下是引用夏天不热在2009-08-29 13:20:44的发言：
有款背极式产品,从4000hz处开始下跌,到10K出已经下跌10~13个dB！

拆开发现膜片上有小孔(像外壳放下凹下),但是没有穿孔,这种是吸膜的表现吗?

之前有看过帖子,吸膜的话应该是低频处下跌呀？

那位高人能给我解答下?

吸膜是高频下跌
通俗的讲即是膜片对高频信号反应不灵敏
(振膜幅度受限了么,电容改变减小,当然输出的交流电压值变小)
对于充电电压和灵敏度本来就是相互制约的
研究了好久至今没有得出量化结果

灵敏度与电容间得电场强度成正比
即E=U/d
一般情况下驻极体是有个充电极限的再冲电场力过大就直接导致吸膜
所以通常改变d的值
d的值小膜片和背极之间的距离太小高频振幅一大也会吸膜
所以只能找其中的平衡点

个人认为决定因素为以下两点
1.膜的性能  振膜张力
                膜片阻抗(即金层厚度) 试想极端的情况电容两端一端是背极一端是绝缘体是否还会有交变电压产生?!
2.驻极体     充电密度将d加高再冲高电压增强电场又不至于吸膜
3.FET       放大倍数

8楼

haifenggu 发表于：2010-1-5 9:32:37

在高频段，吸膜凹膜导致默片变化的距离减小，产生相对小的电容变化量，进而产生较小的电压信号，灵敏度偏低。

9楼

jemyc 发表于：2010-1-8 21:28:55

樓上的回答很是雷人,似乎吸膜在低頻段就不吸膜了???
應該是低頻與高頻聲波的波長不一樣所致!!

10楼

roy206 发表于：2010-1-18 19:00:17

高频下跌,除了吸膜之外,还有什么原因啊

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