主题：FEMM边界条件的设置

在FEMM进行磁路分析，在磁路系统外加了一个半圆，但不知在半圆上施加什么样的边界条件更接近实际情况，边界条件中有指定磁矢量A，mixed（混合边界），不知具体怎么设定？请DX指教！

 经过一段时间的思考，我认为在所研究的磁路系统加一个半圆，在半圆上边界条件应为无限远的边界，实际中处理这种边界条件常有两种方法：一种就是将半圆直径取得很大（远大于研究对象），取半圆边界上的磁矢量为0或其导数为0.这种方法简单，但粗糙；另一种就是用渐进边界模拟无限远边界，对于磁矢量及其高次导数随距离衰减，通过递推关系可以得到磁矢量的函数，类似于mixed边界条件。